Оперативная память

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В

частота 1066 МГц

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 15T, тайминги 15-17-17, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6600 МГц, CL 34T, тайминги 34-40-40-105, напряжение 1.4 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В

64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2933 МГц, CL 21T, тайминги 21-21-21, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В

2 модуля, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19-43, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 6000 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-96, напряжение 1.25 В

2 модуля, частота 2666 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 4800 МГц, CL 40T, напряжение 1.1 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 SO-DIMM по 16 ГБ, частота 4800 МГц, CL 38T, тайминги 38-38-38, напряжение 1.1 В

16 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM, частота 8000 МГц, CL 38T, тайминги 38-48-48, напряжение 1.45 В

32 ГБ, 2 модуля DDR4 DIMM по 16 ГБ, частота 3600 МГц, CL 16T, тайминги 16-19-19-36, напряжение 1.2 В

64 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 32 ГБ, частота 5600 МГц, CL 40T, тайминги 40-40-40-76, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 1866 МГц, CL 10T, тайминги 10-11-10-30, напряжение 1.5 В

16 ГБ, 2 модуля DDR4 SO-DIMM по 8 ГБ, частота 2666 МГц, CL 19T, напряжение 1.2 В

32 ГБ, 2 модуля DDR5 DIMM по 16 ГБ, частота 6000 МГц, CL 32T, тайминги 32-38-38, напряжение 1.35 В

2 модуля, частота 3200 МГц, CL 16T, тайминги 16-18-18-36, напряжение 1.35 В

1 модуль, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В

8 ГБ, 1 модуль DDR3 DIMM, частота 1600 МГц, CL 11T